BONANI, FABRIZIO

BONANI, FABRIZIO  

Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni  

002172  

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2D impedance field method for noise calculations, / Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco. - (1993). ((Intervento presentato al convegno International Noise School, IMEC tenutosi a Leuven, Belgium nel 14-16 December. 1-gen-1993 GHIONE, GIOVANNIBONANI, FabrizioPIROLA, Marco -
2D noise modelling of electronic noise in semiconductor devices / Houlet, P; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Varani, L; Aboubacar, M; VAISSIERE J., C; NOUGIER J., P; Starikov, E; Gruzhinskis, V; Shiktorov, P.. - (1996), pp. 965-968. ((Intervento presentato al convegno European Solid State Device Research Conference tenutosi a Bologna, Italy nel 9-11 September. 1-gen-1996 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A 2D driven brownian particle with memory / Traversa, Fabio Lorenzo; Di Ventra, M.; Bonani, Fabrizio. - STAMPA. - (2013). ((Intervento presentato al convegno International Conference on Noise and Fluctuations tenutosi a Montpellier, France nel 24-28 June [10.1109/ICNF.2013.6578943]. 1-gen-2013 TRAVERSA, Fabio LorenzoBONANI, Fabrizio + ICNF13Brownian.pdf
A CAD-oriented physics-based two-dimensional GaAs FET noise model for MMIC design / Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; C., Naldi. - 2:(1992), pp. 647-650. ((Intervento presentato al convegno Asian Pacific Microwave Conference tenutosi a Adelaide, Australia nel August. 1-gen-1992 GHIONE, GIOVANNIBONANI, FabrizioPIROLA, Marco + -
A Cad-Oriented Physics-Based Two-Dimensional Gaas Fet Noise Model for Mmic DesignAMPC Asia-Pacific Microwave Conference, / Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; C. U., Naldi. - 2:(1992), pp. 647-650. ((Intervento presentato al convegno AMPC Asia-Pacific Microwave Conference, tenutosi a Adelaide nel Aug. 1992 [10.1109/APMC.1992.672186]. 1-gen-1992 GHIONE, GIOVANNIBONANI, FabrizioPIROLA, Marco + -
A CAD-oriented quasi-physical HEMT noise model for device design and optimization / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Naldi, C; Ponse, F.. - (1992). ((Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide and Related III-V Compounds Applications Symposium tenutosi a Nordwijk, The Netherlands nel 27--29 April. 1-gen-1992 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A critical discussion of the current collapse in multifinger HBTs based on Floquet stability analysis / TRAVERSA F., L; Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio. - (2008), pp. 21-24. ((Intervento presentato al convegno International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits tenutosi a Malaga, Spain nel 24-25 November [10.1109/INMMIC.2008.4745704]. 1-gen-2008 CAPPELLUTI, FedericaBONANI, Fabrizio + -
A distributed analytical model for pn junction small- and large-signal noise analysis in low injection conditions / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni. - (2003), pp. 603-606. ((Intervento presentato al convegno 17th International Conference on Noise and Fluctuations tenutosi a Prague, Czech Republic nel August 18-22. 1-gen-2003 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNI -
A general framework for the noise analysis of semiconductor devices operating in nonlinear (large-signal quasi-periodic) conditions / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; DONATI GUERRIERI, Simona; Varani, L; Reggiani, L.. - (1997), pp. 144-147. ((Intervento presentato al convegno 14th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations tenutosi a Leuven, Belgium nel 14-18 July. 1-gen-1997 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIDONATI GUERRIERI, Simona + -
A general-purpose efficient approach for two-carrier numerical noise simulation of semiconductor devices / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; PINTO M., R; Smith, R. K.. - (1996). ((Intervento presentato al convegno URSI Genral Assembly tenutosi a Lille, France nel 28 August - 5 September. 1-gen-1996 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A generalized drift-diffusion model for rectifying Schottky contact simulation / Traversa, F. L.; Bertazzi, Francesco; Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pèrez, S.; Mateos, J.; Gonzàlez, T.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - STAMPA. - ED-57:(2010), pp. 1539-1547. [10.1109/TED.2010.2047909] 1-gen-2010 BERTAZZI, FRANCESCOBONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNI + TED 10.pdf
A Green's function approach to the analysis of non volatile memory device variability as a function of individual trap position / Tisseur, Riccardo; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Benvenuti, A.; Ghetti, A.. - STAMPA. - (2013). ((Intervento presentato al convegno International Conference on Noise and Fluctuations tenutosi a Montpellier, France nel 24-28 June [10.1109/ICNF.2013.6578931]. 1-gen-2013 TISSEUR, RICCARDODONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + ICNF13NVM.pdf
A Harmonic Balance approach to bifurcation analysis of limit cycles / Bonani, Fabrizio; Gilli, Marco. - (1999), pp. 298-301. ((Intervento presentato al convegno International Symposium on Circuits and Systems tenutosi a Orlando, USA nel 30 May - 2 June [10.1109/ISCAS.1999.780154]. 1-gen-1999 BONANI, FabrizioGILLI, MARCO -
A harmonic-balance based method for computing Floquet's multipliers in Lur'e systems / Bonani, Fabrizio; Gilli, Marco. - (1999), pp. 13-16. ((Intervento presentato al convegno 7th International Specialist Workshop on Nonlinear Dynamics of Electronic Systems tenutosi a Ronne, Denmark nel 15-17 July. 1-gen-1999 BONANI, FabrizioGILLI, MARCO -
A large-scale, self-consistent thermal simulator for the layout optimization of power III-V field-effect and bipolar transistors / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Naldi, C.. - (1994), pp. 411-414. ((Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide and Related III-V Compounds Applications Symposium tenutosi a Torino, Italy nel 28-30 April. 1-gen-1994 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
A New Analytical Model for High Frequency MOSFET Noise / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Alam, M. A.. - (2001), pp. 389-392. ((Intervento presentato al convegno Custom Integrated Circuits Conference tenutosi a San Diego, USA nel 6-9 May. 1-gen-2001 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A new approach to the physics-based noise analysis of semiconductor devices operating in large signal, (quasi) periodic regime / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1997), pp. 321-324. ((Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington, USA nel 7-10 December. 1-gen-1997 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
A new dynamic self-consistent electro-thermal model of power HBTs and a novelinterpretation of thermal collapse loci in multi-finger devices / Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni. - (2001), pp. 397-400. ((Intervento presentato al convegno Custom Integrated Circuits, 2001, IEEE Conference on [10.1109/CICC.2001.929809]. 1-gen-2001 CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNI -
A new numerical approach for the efficient computation of Floquet multipliers within the harmonic balance technique / Traversa, Fabio Lorenzo; Bonani, Fabrizio; Cappelluti, Federica. - STAMPA. - IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest:(2013), pp. 1-3. ((Intervento presentato al convegno 2013 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest tenutosi a Seattle, WA nel 2-7 June 2013 [10.1109/MWSYM.2013.6697643]. 1-gen-2013 TRAVERSA, Fabio LorenzoBONANI, FabrizioCAPPELLUTI, Federica IMS 13.pdf
A New, Closed-Form Compact Model for the Cyclostationary Noise and LS Conversion Behaviour of RF Junction Diodes / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni. - (2002), pp. 137-140. ((Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting tenutosi a San Francisco, USA nel 8-11 December [10.1109/IEDM.2002.1175797]. 1-gen-2002 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNI -