CATOGGIO, EVA

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Multibias TCAD Analysis of Trap Dynamics in GaN HEMTs / Catoggio, E.; Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.. - STAMPA. - 1113:(2024), pp. 102-109. (Intervento presentato al convegno 54th Annual Meeting of the Italian Electronics Society (SIE) tenutosi a Noto, Italy nel 6-8 September 2023) [10.1007/978-3-031-48711-8_12]. 1-gen-2024 Catoggio, E.Donati Guerrieri, S.Bonani, F. SIE 23.pdfSIE23_extended.pdf
Advanced modeling of nanoscale devices for analog applications / Catoggio, Eva. - (2023 Jun 22), pp. 1-174. 22-giu-2023 CATOGGIO, EVA conv_phd_thesis_ec.pdfconv_abstract.pdf
Analysis of Doherty Power Amplifier Matching Assisted by Physics-Based Device Modelling / Donati Guerrieri, Simona; Catoggio, Eva; Bonani, Fabrizio. - In: ELECTRONICS. - ISSN 2079-9292. - ELETTRONICO. - 12:9(2023). [10.3390/electronics12092101] 1-gen-2023 Donati Guerrieri, SimonaCatoggio, EvaBonani, Fabrizio Electronics 23 a.pdf
Multi-bias Thermal X-Parameter Model for Efficient Physics-Based FinFET Simulation in RF CAD Tools / Catoggio, Eva; Donati Guerrieri, Simona; Ramella, Chiara; Bonani, Fabrizio. - ELETTRONICO. - 1005:(2023), pp. 43-49. (Intervento presentato al convegno 53rd Annual Meeting of the Italian Electronics Society (SIE) tenutosi a Pizzo Calabro, Italy nel 5-7 September 2022) [10.1007/978-3-031-26066-7_7]. 1-gen-2023 Catoggio, EvaDonati Guerrieri, SimonaRamella, ChiaraBonani, Fabrizio SIE 22.pdfSIE22_ext_final.pdf
Spatial distribution of microwave device harmonic electrical variables through T-dependent TCAD simulations / Catoggio, E.; Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.; Ghione, G.. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 552-557. (Intervento presentato al convegno IEEE EUROCON 2023 - 20th International Conference on Smart Technologies tenutosi a Torino, Italy nel 6-8 July 2023) [10.1109/EUROCON56442.2023.10198930]. 1-gen-2023 Catoggio, E.Donati Guerrieri, S.Bonani, F.Ghione, G. Eurocon 23 TCAD.pdf2023100319.pdf
Synergic Exploitation of TCAD and Deep Neural Networks for Nonlinear FinFET Modeling / Kouhalvandi, Lida; Catoggio, Eva; DONATI GUERRIERI, Simona. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 542-546. (Intervento presentato al convegno IEEE EUROCON 2023 - 20th International Conference on Smart Technologies tenutosi a Torino, Italy nel 6-8 July 2023) [10.1109/EUROCON56442.2023.10198982]. 1-gen-2023 Lida KouhalvandiEva CatoggioSimona Donati Guerrieri Synergic_Exploitation_of_TCAD_and_Deep_Neural_Networks_for_Nonlinear_FinFET_Modeling.pdf2023103878.pdf
TCAD analysis of GaN HEMT AC parameters through accurate solution of trap rate equations / Catoggio, E.; Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 33-36. (Intervento presentato al convegno 2023 18th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) tenutosi a Berlin, Germany nel 18-19 September 2023) [10.23919/EuMIC58042.2023.10288784]. 1-gen-2023 Catoggio, E.Donati Guerrieri, S.Bonani, F. EuMIC23.pdf2023146834.pdf
TCAD Analysis of GaN HEMT Output Conductance Through Trap Rate Equation Green’s Functions / Catoggio, Eva; Guerrieri, Simona Donati; Bonani, Fabrizio. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno 2023 Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMIC) tenutosi a Aveiro, Portugal nel 8-11 November 2023) [10.1109/INMMIC57329.2023.10321781]. 1-gen-2023 Catoggio, EvaGuerrieri, Simona DonatiBonani, Fabrizio INMMIC 23.pdfINMMIC_2023_submitted.pdf
TCAD assisted design of the Doherty Power Amplifier / Guerrieri, Simona Donati; Catoggio, Eva; Bonani, Fabrizio. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - ELETTRONICO. - 207:(2023). [10.1016/j.sse.2023.108684] 1-gen-2023 Guerrieri, Simona DonatiCatoggio, EvaBonani, Fabrizio Bonani-TCAD.pdf
TCAD Modeling of GaN HEMT Output Admittance Dispersion through Trap Rate Equation Green’s Functions / Catoggio, Eva; Donati Guerrieri, Simona; Bonani, Fabrizio. - In: ELECTRONICS. - ISSN 2079-9292. - ELETTRONICO. - 12:11(2023). [10.3390/electronics12112457] 1-gen-2023 Catoggio, EvaDonati Guerrieri, SimonaBonani, Fabrizio Electronics 23 b.pdf
Bridging the Gap between Physical and Circuit Analysis for Variability-Aware Microwave Design: Modeling Approaches / Donati Guerrieri, Simona; Ramella, Chiara; Catoggio, Eva; Bonani, Fabrizio. - In: ELECTRONICS. - ISSN 2079-9292. - ELETTRONICO. - 11:6(2022), p. 860. [10.3390/electronics11060860] 1-gen-2022 Donati Guerrieri, SimonaRamella, ChiaraCatoggio, EvaBonani, Fabrizio electronics-11-00860.pdf
Bridging the Gap between Physical and Circuit Analysis for Variability-Aware Microwave Design: Power Amplifier Design / Donati Guerrieri, Simona; Ramella, Chiara; Catoggio, Eva; Bonani, Fabrizio. - In: ELECTRONICS. - ISSN 2079-9292. - ELETTRONICO. - 11:18(2022), p. 2832. [10.3390/electronics11182832] 1-gen-2022 Donati Guerrieri, SimonaRamella, ChiaraCatoggio, EvaBonani, Fabrizio Electronics 22 b.pdf
Efficient TCAD Temperature-dependent Large-Signal Simulation of a FinFET Power Amplifier / Catoggio, E.; Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.; Ghione, G.. - ELETTRONICO. - (2022), pp. 189-192. (Intervento presentato al convegno 2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) tenutosi a London, UK nel 3-4 April 2022) [10.23919/EuMIC50153.2022.9783235]. 1-gen-2022 Catoggio, E.Donati Guerrieri, S.Bonani, F.Ghione, G. EuMIC 22.pdf2021220522.pdf
TCAD simulation of microwave circuits: The Doherty amplifier / Donati Guerrieri, S.; Catoggio, E.; Bonani, F.. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - ELETTRONICO. - 197:(2022), p. 108445. [10.1016/j.sse.2022.108445] 1-gen-2022 Donati Guerrieri, S.Catoggio, E.Bonani, F. SSE_Donati .pdfSSE 22.pdf
TCAD-based Dynamic Thermal X-parameters for PA Self-Heating Analysis / Donati Guerrieri, S.; Ramella, C.; Catoggio, E.; Bonani, F.. - ELETTRONICO. - (2022), pp. 13-16. (Intervento presentato al convegno 2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) tenutosi a Milano (Italy) nel 26-27 September 2022) [10.23919/EuMIC54520.2022.9923459]. 1-gen-2022 Donati Guerrieri, S.Ramella, C.Catoggio, E.Bonani, F. EuMIC 22.pdf2022124788.pdf
Thermal modeling of RF FinFET PAs through temperature-dependent X-parameters extracted from physics-based simulations / Catoggio, E.; Guerrieri, S. Donati; Ramella, C.; Bonani, F.. - ELETTRONICO. - (2022), pp. 1-3. (Intervento presentato al convegno 2022 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC) tenutosi a Cardiff (UK) nel 7-8 April 2022) [10.1109/INMMiC54248.2022.9762142]. 1-gen-2022 Catoggio, E.Guerrieri, S. DonatiRamella, C.Bonani, F. INMMIC 2022.pdfInMMIC_2022_final_v1.pdf
Variability-aware MMIC design through multiphysics modelling / Donati Guerrieri, S.; Ramella, C.; Catoggio, E.; Bonani, F.. - ELETTRONICO. - (2022), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno 2022 IEEE MTT-S International Conference on Numerical Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization (NEMO) tenutosi a Limoges (France) nel 6-8 July 2022) [10.1109/NEMO51452.2022.10038948]. 1-gen-2022 Donati Guerrieri, S.Ramella, C.Catoggio, E.Bonani, F. NEMO 22.pdfnemo2022_final.pdf
Efficient TCAD Large-Signal temperature-dependent variability analysis of a FinFET power amplifier / Catoggio, E.; Guerrieri, S. Donati; Bonani, F.; Ghione, G.. - ELETTRONICO. - (2021), pp. 36-39. (Intervento presentato al convegno 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD} tenutosi a Dallas, TX, USA nel 27-29 September 2021) [10.1109/SISPAD54002.2021.9592546]. 1-gen-2021 Catoggio, E.Guerrieri, S. DonatiBonani, F.Ghione, G. SISPAD 2021.pdf2021198591.pdf
Efficient TCAD Thermal Analysis of Semiconductor Devices / Catoggio, Eva; Guerrieri, Simona Donati; Bonani, Fabrizio. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - STAMPA. - 68:11(2021), pp. 5462-5468. [10.1109/TED.2021.3076753] 1-gen-2021 Catoggio, EvaGuerrieri, Simona DonatiBonani, Fabrizio GFTemp_rev1.pdfTED21b.pdf