Archivio Istituzionale della RicercaMERCINELLI, FRANCESCO
MERCINELLI, FRANCESCO
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
096821
Transfer fields and Langevin forces for the noise analysis in diffusive nanodevices within the nonequilibrium Green’s function approach
2025 Bertazzi, Francesco; Tibaldi, Alberto; Gonzalez Montoya, Jesus Alberto; Mercinelli, Francesco; Goano, Michele; Donati Guerrieri, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
TCAD Modeling and Simulation of Dark Current-Voltage Characteristics in High-Periodicity InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells (MQWs) Solar Cells
2024 Nicoletto, Marco; Caria, Alessandro; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Alasio, Matteo; Mercinelli, Francesco; Huang, Xuanqui; Fu, Houqiang; Chen, Hong; Zhao, Yuji; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs: trap-assisted tunneling and coupled defects
2023 Mercinelli, Francesco; Tibaldi, Alberto; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco
| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| Transfer fields and Langevin forces for the noise analysis in diffusive nanodevices within the nonequilibrium Green’s function approach / Bertazzi, Francesco; Tibaldi, Alberto; Gonzalez Montoya, Jesus Alberto; Mercinelli, Francesco; Goano, Michele; Donati Guerrieri, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - In: PHYSICAL REVIEW APPLIED. - ISSN 2331-7019. - STAMPA. - 24:3(2025), pp. 1-13. [10.1103/q7h9-y56h] | 1-gen-2025 | Bertazzi, FrancescoTibaldi, AlbertoGonzalez Montoya, Jesus AlbertoMercinelli, FrancescoGoano, MicheleDonati Guerrieri, SimonaBonani, FabrizioGhione, Giovanni | 2025BertazziPRAPP.pdf; 2024Bertazzi_PRAPP.pdf |
| TCAD Modeling and Simulation of Dark Current-Voltage Characteristics in High-Periodicity InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells (MQWs) Solar Cells / Nicoletto, Marco; Caria, Alessandro; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Alasio, Matteo; Mercinelli, Francesco; Huang, Xuanqui; Fu, Houqiang; Chen, Hong; Zhao, Yuji; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo. - In: IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS. - ISSN 2156-3381. - STAMPA. - 14:3(2024), pp. 450-458. [10.1109/jphotov.2024.3366710] | 1-gen-2024 | Alasio, MatteoMercinelli, Francesco + | 2024Nicoletto_JPV.pdf |
| Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs: trap-assisted tunneling and coupled defects / Mercinelli, Francesco; Tibaldi, Alberto; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 85-86. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273542]. | 1-gen-2023 | Francesco MercinelliAlberto TibaldiMichele GoanoFrancesco Bertazzi | 2023Mercinelli_NUSOD.PostPrint.pdf; 2023Mercinelli_NUSOD - Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs.pdf |