Archivio Istituzionale della RicercaMERCINELLI, FRANCESCO
MERCINELLI, FRANCESCO
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
096821
Mostra
records
Risultati 1 - 2 di 2 (tempo di esecuzione: 0.006 secondi).
TCAD Modeling and Simulation of Dark Current-Voltage Characteristics in High-Periodicity InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells (MQWs) Solar Cells
2024 Nicoletto, Marco; Caria, Alessandro; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Alasio, Matteo; Mercinelli, Francesco; Huang, Xuanqui; Fu, Houqiang; Chen, Hong; Zhao, Yuji; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs: trap-assisted tunneling and coupled defects
2023 Mercinelli, Francesco; Tibaldi, Alberto; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco
| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| TCAD Modeling and Simulation of Dark Current-Voltage Characteristics in High-Periodicity InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells (MQWs) Solar Cells / Nicoletto, Marco; Caria, Alessandro; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Alasio, Matteo; Mercinelli, Francesco; Huang, Xuanqui; Fu, Houqiang; Chen, Hong; Zhao, Yuji; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo. - In: IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS. - ISSN 2156-3381. - STAMPA. - 14:3(2024), pp. 450-458. [10.1109/jphotov.2024.3366710] | 1-gen-2024 | Alasio, MatteoMercinelli, Francesco + | 2024Nicoletto_JPV.pdf |
| Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs: trap-assisted tunneling and coupled defects / Mercinelli, Francesco; Tibaldi, Alberto; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 85-86. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273542]. | 1-gen-2023 | Francesco MercinelliAlberto TibaldiMichele GoanoFrancesco Bertazzi | 2023Mercinelli_NUSOD.PostPrint.pdf; 2023Mercinelli_NUSOD - Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs.pdf |