DE RUVO, EDOARDO

DE RUVO, EDOARDO  

Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni  

065989  

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Citazione Data di pubblicazione Autori File
Role of Traps in Gate Leakage Current in p-gate GaN HEMTs Through TCAD Simulations / De Ruvo, Edoardo; Donati Guerrieri, Simona; Bonani, Fabrizio. - ELETTRONICO. - (2026), pp. 43-50. ( 56th Annual Meeting of the Italian Electronics Society (SIE) Napoli (Ita) 25-27 June 2025) [10.1007/978-3-032-17305-8_6]. 1-gen-2026 De Ruvo, EdoardoDonati Guerrieri, SimonaBonani, Fabrizio DeRuvo_RoleOfTrapsInGateLeakageCurrent.pdfSIE 25.pdf