DE RUVO, EDOARDO

DE RUVO, EDOARDO  

Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni  

065989  

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Citazione Data di pubblicazione Autori File
Role of Traps in Gate Leakage Current in p-gate GaN HEMTs Through TCAD Simulations / De Ruvo, E., Donati Guerrieri, S., Bonani, F.. - ELETTRONICO. - (2026), pp. 43-50. (56th Annual Meeting of the Italian Electronics Society (SIE) Napoli (Ita) 25-27 June 2025) [10.1007/978-3-032-17305-8_6]. 1-gen-2026 De Ruvo, EdoardoDonati Guerrieri, SimonaBonani, Fabrizio DeRuvo_RoleOfTrapsInGateLeakageCurrent.pdfSIE 25.pdf
TCAD Simulations of Degradation Mechanism in p-GaN Gate HEMTs under Gate Stress / De Ruvo, E., Guerrieri, S.D., Bonani, F., Cornigli, D., Larcher, L.. - ELETTRONICO. - (2026), pp. 1-6. (2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Tucson (USA) 22-26 March 2026) [10.1109/irps61424.2026.11499242]. 1-gen-2026 De Ruvo, EdoardoGuerrieri, Simona DonatiBonani, Fabrizio + IRPS 26.pdfFINAL.pdf