GIOVINAZZO, CECILIA

GIOVINAZZO, CECILIA  

Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni  

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Analog Control of Retainable Resistance Multistates in HfO2 Resistive-Switching Random Access Memories (ReRAMs) / Giovinazzo, Cecilia; Sandrini, Jury; Shahrabi, Elmira; Celik, Oguz Tolga; Leblebici, Yusuf; Ricciardi, Carlo. - In: ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2637-6113. - ELETTRONICO. - 1:6(2019), pp. 900-909. [10.1021/acsaelm.9b00094] 1-gen-2019 Giovinazzo, CeciliaSandrini, JuryRicciardi, Carlo + 2019_Cecilia_HfOx_ACSaelm.pdf
Multi-ReRAM synapses for artificial neural network training / Boybat, I.; Giovinazzo, C.; Shahrabi, E.; Krawczuk, I.; Giannopoulos, I.; Piveteau, C.; Le Gallo, M.; Ricciardi, C.; Sebastian, A.; Eleftheriou, E.; Leblebici, Y.. - ELETTRONICO. - 2019-:(2019), pp. 1-5. (Intervento presentato al convegno 2019 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)) [10.1109/ISCAS.2019.8702714]. 1-gen-2019 Giovinazzo C.Ricciardi C. + 2019_IBM_IEEE.pdf
Resistive switching in ALD metal-oxides with engineered interfaces / Giovinazzo, Cecilia. - (2019 Feb 28), pp. 1-182. [10.6092/polito/porto/2727227] 28-feb-2019 GIOVINAZZO, CECILIA phdthesis_cgiovinazzo.pdfabstract_cgiovinazzo.pdf
Resistive Switching in Sub-micrometric ZnO polycrystalline Films / Conti, Daniele; Laurenti, Marco; Porro, Samuele; Giovinazzo, Cecilia; Bianco, Stefano; Fra, Vittorio; Chiolerio, Alessandro; Pirri, Candido Fabrizio; Milano, Gianluca; Ricciardi, Carlo. - In: NANOTECHNOLOGY. - ISSN 0957-4484. - ELETTRONICO. - 30:6(2019). [10.1088/1361-6528/aaf261] 1-gen-2019 Conti, DanieleLaurenti, MarcoPorro, SamueleGIOVINAZZO, CECILIABianco, StefanoFRA, VITTORIOChiolerio, AlessandroPirri, Candido FabrizioMilano, GianlucaRicciardi, Carlo 2019_daniele_Nano-iop.pdf
Switching Kinetics Control of W-Based ReRAM Cells in Transient Operation by Interface Engineering / Shahrabi, E.; Giovinazzo, C.; Hadad, M.; Lagrange, T.; Ramos, M.; Ricciardi, C.; Leblebici, Y.. - In: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2199-160X. - ELETTRONICO. - 5:8(2019), p. 1800835. [10.1002/aelm.201800835] 1-gen-2019 Giovinazzo C.Ricciardi C. + 2019_Elmira_Wox_Adv_Elect_Mat.pdf
Effects of single-pulse Al2O3 insertion in TiO2 oxide memristors by low temperature ALD / Giovinazzo, C.; Ricciardi, C.; Pirri, C. F.; Chiolerio, A.; Porro, S.. - In: APPLIED PHYSICS. A, MATERIALS SCIENCE & PROCESSING. - ISSN 0947-8396. - 124:10(2018). [10.1007/s00339-018-2112-5] 1-gen-2018 Giovinazzo, C.Ricciardi, C.Pirri, C. F.Chiolerio, A.Porro, S. -
The key impact of incorporated Al2O3barrier layer on W-based ReRAM switching performance / Shahrabi, Elmira; Giovinazzo, Cecilia; Sandrini, Jury; Leblebici, Yusuf. - (2018), pp. 69-72. (Intervento presentato al convegno 14th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics, PRIME 2018 tenutosi a cze nel 2018) [10.1109/PRIME.2018.8430371]. 1-gen-2018 GIOVINAZZO, CECILIASANDRINI, JURY + -
Tests of SEU effects of circuits developed in 130 nm CMOS technology / Calvo, D.; De Remigis, P.; Giovinazzo, Cecilia; Mazza, G.; Olave, ELIAS JONHATAN; Silvestrin, L.; Wheadon, R.. - In: LNL- ANNUAL REPORT. - ISSN 1828-8561. - ELETTRONICO. - LNL Annual Report 2015:INFN‑LNL Report 242(2015), pp. 115-116. 1-gen-2015 GIOVINAZZO, CECILIAOLAVE, ELIAS JONHATAN + -