Archivio Istituzionale della RicercaMANDURRINO, MARCO
MANDURRINO, MARCO
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
034480
Simulation and first characterization of MAPS test structures with gain for timing applications
2024 Corradino, T.; Neubüser, C.; Giovanazzi, G.; Andrini, G.; Ferrero, C.; Gioachin, G.; Durando, S.; Follo, U.; Dalla Betta, G. F.; Mandurrino, M.; Pancheri, L.
Advances in quantum tunneling models for semiconductor optoelectronic device simulation
2017 Mandurrino, Marco
Challenges towards the simulation of GaN-based LEDs beyond the semiclassical framework
2016 Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zhou, Xiangyu; Mandurrino, Marco; Dominici, Stefano; Vallone, MARCO ERNESTO; Ghione, Giovanni; Tibaldi, Alberto; Calciati, Marco; Debernardi, Pierluigi; Dolcini, Fabrizio; Rossi, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Meneghini, Matteo; Trivellin, Nicola; De Santi, Carlo; Zanoni, Enrico; Bellotti, Enrico
Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes
2016 De Santi, C.; Meneghini, M.; La Grassa, M.; Galler, B.; Zeisel, R.; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Mandurrino, Marco; Bertazzi, Francesco; Robidas, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Thermal droop in InGaN-based LEDs: physical origin and dependence on material properties
2016 De Santi, C.; Meneghini, M.; La Grassa, M.; Trivellin, N.; Galler, B.; Zeisel, R.; Hahn, B.; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Mandurrino, Marco; Bertazzi, Francesco; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects
2015 La Grassa, Marco; Meneghini, Matteo; De Santi, Carlo; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zeisel, Roland; Galler, Bastian; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Defect-related tunneling contributions to subthreshold forward current in GaN-based LEDs
2015 Mandurrino, Marco; Verzellesi, G.; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Modeling challenges for high-efficiency visible light-emitting diodes
2015 Bertazzi, Francesco; Dominici, Stefano; Mandurrino, Marco; Robidas, Dipika; Zhou, Xiangyu; Vallone, MARCO ERNESTO; Calciati, Marco; Debernardi, Pierluigi; Verzellesi, Giovanni; Meneghini, Matteo; Bellotti, Enrico; Ghione, Giovanni; Goano, Michele
Numerical modeling of SRH and tunneling mechanisms in high-operating-temperature MWIR HgCdTe photodetectors
2015 Vallone, MARCO ERNESTO; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Schirmacher, W.; Hanna, S.; Figgemeier, H.
Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes
2015 Mandurrino, Marco; Verzellesi, G.; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Semiclassical simulation of trap-assisted tunneling in GaN-based light-emitting diodes
2015 Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Verzellesi, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Trap-assisted tunneling contributions to subthreshold forward current in InGaN/GaN light-emitting diodes
2015 Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Bernabei, M.; Rovati, L.; Verzellesi, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: experiments and physics-based simulation
2014 Mandurrino, Marco; G., Verzellesi; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni
| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| Simulation and first characterization of MAPS test structures with gain for timing applications / Corradino, T.; Neubüser, C.; Giovanazzi, G.; Andrini, G.; Ferrero, C.; Gioachin, G.; Durando, S.; Follo, U.; Dalla Betta, G. F.; Mandurrino, M.; Pancheri, L.. - In: JOURNAL OF INSTRUMENTATION. - ISSN 1748-0221. - STAMPA. - 19:02(2024). [10.1088/1748-0221/19/02/c02036] | 1-gen-2024 | Andrini, G.Ferrero, C.Gioachin, G.Durando, S.Follo, U.Mandurrino, M. + | Andrini-Simulation.pdf |
| Advances in quantum tunneling models for semiconductor optoelectronic device simulation / Mandurrino, Marco. - (2017). [10.6092/polito/porto/2668787] | 1-gen-2017 | MANDURRINO, MARCO | PhD_2017Mandurrino.pdf |
| Challenges towards the simulation of GaN-based LEDs beyond the semiclassical framework / Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zhou, Xiangyu; Mandurrino, Marco; Dominici, Stefano; Vallone, MARCO ERNESTO; Ghione, Giovanni; Tibaldi, Alberto; Calciati, Marco; Debernardi, Pierluigi; Dolcini, Fabrizio; Rossi, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Meneghini, Matteo; Trivellin, Nicola; De Santi, Carlo; Zanoni, Enrico; Bellotti, Enrico. - STAMPA. - 9742:(2016), p. 974202. (Intervento presentato al convegno SPIE Photonics West tenutosi a San Francisco) [10.1117/12.2216489]. | 1-gen-2016 | GOANO, MICHELEBERTAZZI, FRANCESCOZHOU, XIANGYUMANDURRINO, MARCODOMINICI, STEFANOVALLONE, MARCO ERNESTOGHIONE, GIOVANNITIBALDI, ALBERTOCALCIATI, MARCODEBERNARDI, PIERLUIGIDOLCINI, FABRIZIOROSSI, FAUSTO + | - |
| Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes / De Santi, C.; Meneghini, M.; La Grassa, M.; Galler, B.; Zeisel, R.; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Mandurrino, Marco; Bertazzi, Francesco; Robidas, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - STAMPA. - 119:9(2016), p. 094501. [10.1063/1.4942438] | 1-gen-2016 | GOANO, MICHELEDOMINICI, STEFANOMANDURRINO, MARCOBERTAZZI, FRANCESCO + | 2016DeSanti_JAP.pdf; Goano_Role_AAM.pdf |
| Thermal droop in InGaN-based LEDs: physical origin and dependence on material properties / De Santi, C.; Meneghini, M.; La Grassa, M.; Trivellin, N.; Galler, B.; Zeisel, R.; Hahn, B.; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Mandurrino, Marco; Bertazzi, Francesco; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - STAMPA. - 9768:(2016), p. 97680D. (Intervento presentato al convegno SPIE Photonics West tenutosi a San Francisco, CA, USA nel 2016) [10.1117/12.2210953]. | 1-gen-2016 | GOANO, MICHELEDOMINICI, STEFANOMANDURRINO, MARCOBERTAZZI, FRANCESCO + | - |
| Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects / La Grassa, Marco; Meneghini, Matteo; De Santi, Carlo; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zeisel, Roland; Galler, Bastian; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 55:9-10(2015), pp. 1775-1778. [10.1016/j.microrel.2015.06.103] | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEBERTAZZI, FRANCESCO + | 2015LaGrassa_MER.pdf |
| Defect-related tunneling contributions to subthreshold forward current in GaN-based LEDs / Mandurrino, Marco; Verzellesi, G.; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - 2015:(2015). (Intervento presentato al convegno 17th Italian Conference on Photonics Technologies, Fotonica AEIT 2015 tenutosi a Torino nel 2015) [10.1049/cp.2015.0136]. | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEDOMINICI, STEFANOBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | - |
| Modeling challenges for high-efficiency visible light-emitting diodes / Bertazzi, Francesco; Dominici, Stefano; Mandurrino, Marco; Robidas, Dipika; Zhou, Xiangyu; Vallone, MARCO ERNESTO; Calciati, Marco; Debernardi, Pierluigi; Verzellesi, Giovanni; Meneghini, Matteo; Bellotti, Enrico; Ghione, Giovanni; Goano, Michele. - STAMPA. - (2015), pp. 157-160. (Intervento presentato al convegno International Forum on Research and Technologies for Society and Industry 2015 (RTSI 2015) tenutosi a Torino) [10.1109/RTSI.2015.7325090]. | 1-gen-2015 | BERTAZZI, FRANCESCODOMINICI, STEFANOMANDURRINO, MARCOROBIDAS, DIPIKAZHOU, XIANGYUVALLONE, MARCO ERNESTOCALCIATI, MARCODEBERNARDI, PIERLUIGIGHIONE, GIOVANNIGOANO, MICHELE + | - |
| Numerical modeling of SRH and tunneling mechanisms in high-operating-temperature MWIR HgCdTe photodetectors / Vallone, MARCO ERNESTO; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Schirmacher, W.; Hanna, S.; Figgemeier, H.. - In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 0361-5235. - STAMPA. - 44:9(2015), pp. 3056-3063. [10.1007/s11664-015-3767-8] | 1-gen-2015 | VALLONE, MARCO ERNESTOMANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | 2015Vallone_JEM.pdf |
| Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes / Mandurrino, Marco; Verzellesi, G.; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. - ISSN 1862-6319. - STAMPA. - 212:5(2015), pp. 947-953. [10.1002/pssa.201431743] | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEVALLONE, MARCO ERNESTOBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | 2015Mandurrino_PSSA.pdf |
| Semiclassical simulation of trap-assisted tunneling in GaN-based light-emitting diodes / Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Verzellesi, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - In: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. - ISSN 1569-8025. - STAMPA. - 14:2(2015), pp. 444-455. [10.1007/s10825-015-0675-3] | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEVALLONE, MARCO ERNESTOBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | 2015Mandurrino_JCE.pdf |
| Trap-assisted tunneling contributions to subthreshold forward current in InGaN/GaN light-emitting diodes / Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Bernabei, M.; Rovati, L.; Verzellesi, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - STAMPA. - 9571:(2015), p. 95710U. (Intervento presentato al convegno 14th International Conference on Solid State Lighting and LED-Based Illumination Systems tenutosi a San Diego, CA, USA nel 2015) [10.1117/12.2187443]. | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEDOMINICI, STEFANOVALLONE, MARCO ERNESTOBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | - |
| Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: experiments and physics-based simulation / Mandurrino, Marco; G., Verzellesi; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni. - STAMPA. - (2014), pp. 13-14. (Intervento presentato al convegno 14th international conference on numerical simulation of optoelectronic devices (NUSOD 2014) tenutosi a Palma de Mallorca nel 1/9/2014) [10.1109/NUSOD.2014.6935332]. | 1-gen-2014 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEVALLONE, MARCO ERNESTOBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | - |