PORTO @ Archivio Istituzionale della Ricerca

Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects / La Grassa, Marco; Meneghini, Matteo; De Santi, Carlo; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zeisel, Roland; Galler, Bastian; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 55:9-10(2015), pp. 1775-1778. [10.1016/j.microrel.2015.06.103]

Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects

MANDURRINO, MARCO;GOANO, MICHELE;BERTAZZI, FRANCESCO;
2015
2015
MICROELECTRONICS RELIABILITY
1.1 Articolo in rivista
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
2015LaGrassa_MER.pdf

non disponibili

Descrizione: 2015LaGrassa_MER
Tipologia: 2a Post-print versione editoriale / Version of Record
Licenza: Non Pubblico - Accesso privato/ristretto
Dimensione 1.2 MB
Formato Adobe PDF
  Visualizza/Apri   Richiedi una copia
1.2 MB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2628625
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo