Archivio Istituzionale della RicercaMANDURRINO, MARCO
MANDURRINO, MARCO
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
034480
Simulation and first characterization of MAPS test structures with gain for timing applications
2024 Corradino, T.; Neubüser, C.; Giovanazzi, G.; Andrini, G.; Ferrero, C.; Gioachin, G.; Durando, S.; Follo, U.; Dalla Betta, G. F.; Mandurrino, M.; Pancheri, L.
Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes
2016 De Santi, C.; Meneghini, M.; La Grassa, M.; Galler, B.; Zeisel, R.; Goano, Michele; Dominici, Stefano; Mandurrino, Marco; Bertazzi, Francesco; Robidas, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects
2015 La Grassa, Marco; Meneghini, Matteo; De Santi, Carlo; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zeisel, Roland; Galler, Bastian; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Numerical modeling of SRH and tunneling mechanisms in high-operating-temperature MWIR HgCdTe photodetectors
2015 Vallone, MARCO ERNESTO; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Schirmacher, W.; Hanna, S.; Figgemeier, H.
Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes
2015 Mandurrino, Marco; Verzellesi, G.; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Semiclassical simulation of trap-assisted tunneling in GaN-based light-emitting diodes
2015 Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Verzellesi, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
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| Simulation and first characterization of MAPS test structures with gain for timing applications / Corradino, T., Neubüser, C., Giovanazzi, G., Andrini, G., Ferrero, C., Gioachin, G., Durando, S., Follo, U., Dalla Betta, G.F., Mandurrino, M., Pancheri, L.. - In: JOURNAL OF INSTRUMENTATION. - ISSN 1748-0221. - STAMPA. - 19:02(2024). [10.1088/1748-0221/19/02/c02036] | 1-gen-2024 | Andrini, G.Ferrero, C.Gioachin, G.Durando, S.Follo, U.Mandurrino, M. + | Andrini-Simulation.pdf |
| Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes / De Santi, C., Meneghini, M., La Grassa, M., Galler, B., Zeisel, R., Goano, M., Dominici, S., Mandurrino, M., Bertazzi, F., Robidas, D., Meneghesso, G., Zanoni, E.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - STAMPA. - 119:9(2016), p. 094501. [10.1063/1.4942438] | 1-gen-2016 | GOANO, MICHELEDOMINICI, STEFANOMANDURRINO, MARCOBERTAZZI, FRANCESCO + | 2016DeSanti_JAP.pdf; Goano_Role_AAM.pdf |
| Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects / La Grassa, M., Meneghini, M., De Santi, C., Mandurrino, M., Goano, M., Bertazzi, F., Zeisel, R., Galler, B., Meneghesso, G., Zanoni, E.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 55:9-10(2015), pp. 1775-1778. [10.1016/j.microrel.2015.06.103] | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEBERTAZZI, FRANCESCO + | 2015LaGrassa_MER.pdf |
| Numerical modeling of SRH and tunneling mechanisms in high-operating-temperature MWIR HgCdTe photodetectors / Vallone, M.E., Mandurrino, M., Goano, M., Bertazzi, F., Ghione, G., Schirmacher, W., Hanna, S., Figgemeier, H.. - In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 0361-5235. - STAMPA. - 44:9(2015), pp. 3056-3063. [10.1007/s11664-015-3767-8] | 1-gen-2015 | VALLONE, MARCO ERNESTOMANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | 2015Vallone_JEM.pdf |
| Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes / Mandurrino, M., Verzellesi, G., Goano, M., Vallone, M.E., Bertazzi, F., Ghione, G., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. - ISSN 1862-6319. - STAMPA. - 212:5(2015), pp. 947-953. [10.1002/pssa.201431743] | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEVALLONE, MARCO ERNESTOBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | 2015Mandurrino_PSSA.pdf |
| Semiclassical simulation of trap-assisted tunneling in GaN-based light-emitting diodes / Mandurrino, M., Goano, M., Vallone, M.E., Bertazzi, F., Ghione, G., Verzellesi, G., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.. - In: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. - ISSN 1569-8025. - STAMPA. - 14:2(2015), pp. 444-455. [10.1007/s10825-015-0675-3] | 1-gen-2015 | MANDURRINO, MARCOGOANO, MICHELEVALLONE, MARCO ERNESTOBERTAZZI, FRANCESCOGHIONE, GIOVANNI + | 2015Mandurrino_JCE.pdf |