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Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes / Mandurrino, M., Verzellesi, G., Goano, M., Vallone, M.E., Bertazzi, F., Ghione, G., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. - ISSN 1862-6319. - STAMPA. - 212:5(2015), pp. 947-953. [10.1002/pssa.201431743]

Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes

MANDURRINO, MARCO;GOANO, MICHELE;VALLONE, MARCO ERNESTO;BERTAZZI, FRANCESCO;GHIONE, GIOVANNI;
2015
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