Archivio Istituzionale della RicercaWe present Rad-Ray, a tool for simulating the passage of heavy ions particles through the silicon matter of modern Integrated Circuits and generating the transient voltage pulse response. Heavy ions radiation campaigns demonstrated comparable results.
Rad-Ray: A new Simulation Tool for the Analysis of Heavy Ions-induced SETs on ICs / Sterpone, Luca; Azimi, Sarah; Du, Boyang; Luoni, Francesca. - ELETTRONICO. - (2019). (Intervento presentato al convegno 30th IEEE Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2019)).
Rad-Ray: A new Simulation Tool for the Analysis of Heavy Ions-induced SETs on ICs
Luca Sterpone;Sarah Azimi;Boyang Du;
2019
Abstract
We present Rad-Ray, a tool for simulating the passage of heavy ions particles through the silicon matter of modern Integrated Circuits and generating the transient voltage pulse response. Heavy ions radiation campaigns demonstrated comparable results.
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https://hdl.handle.net/11583/2748996
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