BUGHIO, AHSIN MURTAZA
BUGHIO, AHSIN MURTAZA
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
037086
Mostra
records
Risultati 1 - 4 di 4 (tempo di esecuzione: 0.01 secondi).
Physics-based modeling of FinFET RF variability under Shorted- and Independent-Gates bias
2017 Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
RF sensitivity analysis of independent-gates FinFETs for analog applications exploiting the back-gating effect
2017 Bughio, A. M.; Guerrieri, S. Donati; Bonani, F.; Ghione, G.
Physics-based analysis of FinFET RF variability including parasitics
2016 Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
Physics-based modeling of FinFET RF variability
2016 Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
---|---|---|---|
Physics-based modeling of FinFET RF variability under Shorted- and Independent-Gates bias / Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - ELETTRONICO. - (2017), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC) tenutosi a Graz, Austria nel 20-21 April 2017) [10.1109/INMMIC.2017.7927300]. | 1-gen-2017 | BUGHIO, AHSIN MURTAZADONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FABRIZIOGHIONE, GIOVANNI | - |
RF sensitivity analysis of independent-gates FinFETs for analog applications exploiting the back-gating effect / Bughio, A. M.; Guerrieri, S. Donati; Bonani, F.; Ghione, G.. - STAMPA. - (2017), pp. 256-259. (Intervento presentato al convegno European Microwave Integrated Circuits Conference tenutosi a Nuremburg, Germany nel 9-10 October, 2017) [10.23919/EuMIC.2017.8230708]. | 1-gen-2017 | Bughio, A. M.Guerrieri, S. DonatiBonani, F.Ghione, G. | - |
Physics-based analysis of FinFET RF variability including parasitics / Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - ELETTRONICO. - (2016), pp. 1-1. (Intervento presentato al convegno 48th Annual Meeting of the Associazione Gruppo Italiano di Elettronica (GE) tenutosi a Brescia, Italy nel June 22 to 24, 2016). | 1-gen-2016 | BUGHIO, AHSIN MURTAZADONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FABRIZIOGHIONE, GIOVANNI | - |
Physics-based modeling of FinFET RF variability / Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (2016). (Intervento presentato al convegno European Microwave Integrated Circuits Conference (EUMIC) tenutosi a London, UK nel 3-7 October 2016). | 1-gen-2016 | BUGHIO, AHSIN MURTAZADONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FABRIZIOGHIONE, GIOVANNI | Final manuscript.pdf |