BUGHIO, AHSIN MURTAZA

BUGHIO, AHSIN MURTAZA  

Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni  

037086  

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Physics-based modeling of FinFET RF variability under Shorted- and Independent-Gates bias / Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - ELETTRONICO. - (2017), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC) tenutosi a Graz, Austria nel 20-21 April 2017) [10.1109/INMMIC.2017.7927300]. 1-gen-2017 BUGHIO, AHSIN MURTAZADONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FABRIZIOGHIONE, GIOVANNI -
RF sensitivity analysis of independent-gates FinFETs for analog applications exploiting the back-gating effect / Bughio, A. M.; Guerrieri, S. Donati; Bonani, F.; Ghione, G.. - STAMPA. - (2017), pp. 256-259. (Intervento presentato al convegno European Microwave Integrated Circuits Conference tenutosi a Nuremburg, Germany nel 9-10 October, 2017) [10.23919/EuMIC.2017.8230708]. 1-gen-2017 Bughio, A. M.Guerrieri, S. DonatiBonani, F.Ghione, G. -
Physics-based analysis of FinFET RF variability including parasitics / Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - ELETTRONICO. - (2016), pp. 1-1. (Intervento presentato al convegno 48th Annual Meeting of the Associazione Gruppo Italiano di Elettronica (GE) tenutosi a Brescia, Italy nel June 22 to 24, 2016). 1-gen-2016 BUGHIO, AHSIN MURTAZADONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FABRIZIOGHIONE, GIOVANNI -
Physics-based modeling of FinFET RF variability / Bughio, AHSIN MURTAZA; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (2016). (Intervento presentato al convegno European Microwave Integrated Circuits Conference (EUMIC) tenutosi a London, UK nel 3-7 October 2016). 1-gen-2016 BUGHIO, AHSIN MURTAZADONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FABRIZIOGHIONE, GIOVANNI Final manuscript.pdf