Archivio Istituzionale della RicercaTwo well-known ultra wide-band topologies, the travelling-wave amplifier and the stacked cell, are gainfully employed to demonstrate a decade bandwidth behaviour (5-55 GHz) in conjunction with watt-level saturated output power. The selected technology is OMMIC’s Gallium Nitride on Silicon, featuring the possibility to simultaneously insert 60-nm and 100-nm gate length FETs in the same MMIC.
5-55 GHz Watt-level Gallium Nitride Stacked FET Travelling-Wave Power Amplifier / Longhi, Patrick E.; Ramella, Chiara; Ciccognani, Walter; Colangeli, Sergio; Pirola, Marco; Limiti, Ernesto. - ELETTRONICO. - (2024), pp. 315-318. (Intervento presentato al convegno 2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) tenutosi a Parigi (Fra) nel 22-27 September 2024) [10.23919/eumic61603.2024.10732117].
5-55 GHz Watt-level Gallium Nitride Stacked FET Travelling-Wave Power Amplifier
Ramella, Chiara;Pirola, Marco;
2024
Abstract
Two well-known ultra wide-band topologies, the travelling-wave amplifier and the stacked cell, are gainfully employed to demonstrate a decade bandwidth behaviour (5-55 GHz) in conjunction with watt-level saturated output power. The selected technology is OMMIC’s Gallium Nitride on Silicon, featuring the possibility to simultaneously insert 60-nm and 100-nm gate length FETs in the same MMIC.
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https://hdl.handle.net/11583/2995138