A bi-dimensional model for power MOSFET devices accounting for the behavior in unclamped inductive switching conditions / Raciti, A.; Musumeci, S.; Xibilia, F.; Chimento, F.; Privitera, G.. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 134-139. (Intervento presentato al convegno IECON 2013 - 39th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society tenutosi a Vienna, Austria nel 10-13 November 2013) [10.1109/IECON.2013.6699124].
A bi-dimensional model for power MOSFET devices accounting for the behavior in unclamped inductive switching conditions
A. Raciti;S. Musumeci;
2013
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https://hdl.handle.net/11583/2980095
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