Archivio Istituzionale della Ricerca50nm gate-length hydrogen terminated diamond field effect transistors characterization and inspection of operation / Moran, D. A. J.; Maclaren, D. A.; Porro, S.; Hill, R.; Mclelland, H.; John, P.; Wilson, J.. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 1282:(2011), pp. 141-147. (Intervento presentato al convegno MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA) [10.1557/opl.2011.455].
50nm gate-length hydrogen terminated diamond field effect transistors characterization and inspection of operation
Porro, S.;
2011
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https://hdl.handle.net/11583/2972074