Archivio Istituzionale della Ricerca50nm gate-length hydrogen terminated diamond field effect transistors characterization and inspection of operation / Moran, D.A.J., Maclaren, D.A., Porro, S., Hill, R., Mclelland, H., John, P., Wilson, J.. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 1282:(2011), pp. 141-147. (MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA ) [10.1557/opl.2011.455].
50nm gate-length hydrogen terminated diamond field effect transistors characterization and inspection of operation
Porro, S.;
2011
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https://hdl.handle.net/11583/2972074