50nm gate-length hydrogen terminated diamond field effect transistors characterization and inspection of operation / Moran, D. A. J.; Maclaren, D. A.; Porro, S.; Hill, R.; Mclelland, H.; John, P.; Wilson, J.. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 1282:(2011), pp. 141-147. ((Intervento presentato al convegno MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA [10.1557/opl.2011.455].

50nm gate-length hydrogen terminated diamond field effect transistors characterization and inspection of operation

Porro, S.;
2011

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2972074