Archivio Istituzionale della RicercaWe propose various techniques extending X parameters to include the effect of active microwave device variability by exploiting TCAD simulations. We discuss two possible implementations into Agilent ADS. Both approaches are validated against full microwave amplifier TCAD simulations.
Linking X Parameters to Physical Simulations for Design-Oriented Large-Signal Device Variability Modeling / Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.; Ghione, G.. - STAMPA. - (2019), pp. 204-207. (Intervento presentato al convegno 2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2019 tenutosi a usa nel 2019) [10.1109/MWSYM.2019.8700869].
Linking X Parameters to Physical Simulations for Design-Oriented Large-Signal Device Variability Modeling
Donati Guerrieri S.;Bonani F.;Ghione G.
2019
Abstract
We propose various techniques extending X parameters to include the effect of active microwave device variability by exploiting TCAD simulations. We discuss two possible implementations into Agilent ADS. Both approaches are validated against full microwave amplifier TCAD simulations.
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