PORTO @ 
Archivio Istituzionale della Ricerca
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishWe propose various techniques extending X parameters to include the effect of active microwave device variability by exploiting TCAD simulations. We discuss two possible implementations into Agilent ADS. Both approaches are validated against full microwave amplifier TCAD simulations.
| Titolo: | Linking X Parameters to Physical Simulations for Design-Oriented Large-Signal Device Variability Modeling |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2019 |
| Serie: | |
| Abstract: | We propose various techniques extending X parameters to include the effect of active microwave de...vice variability by exploiting TCAD simulations. We discuss two possible implementations into Agilent ADS. Both approaches are validated against full microwave amplifier TCAD simulations. |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| IMS 19.pdf | Articolo principale | 2. Post-print | Non Pubblico - Accesso privato/ristretto | Administrator Richiedi una copia |
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11583/2750833I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2019