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EnglishWe propose various techniques extending X parameters to include the effect of active microwave device variability by exploiting TCAD simulations. We discuss two possible implementations into Agilent ADS. Both approaches are validated against full microwave amplifier TCAD simulations.
Linking X Parameters to Physical Simulations for Design-Oriented Large-Signal Device Variability Modeling / Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.; Ghione, G.. - STAMPA. - (2019), pp. 204-207. ((Intervento presentato al convegno 2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2019 tenutosi a usa nel 2019.
| Titolo: | Linking X Parameters to Physical Simulations for Design-Oriented Large-Signal Device Variability Modeling |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2019 |
| Serie: | |
| Abstract: | We propose various techniques extending X parameters to include the effect of active microwave de...vice variability by exploiting TCAD simulations. We discuss two possible implementations into Agilent ADS. Both approaches are validated against full microwave amplifier TCAD simulations. |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| IMS 19.pdf | Articolo principale | 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript | Non Pubblico - Accesso privato/ristretto | Administrator Richiedi una copia |
| IMS2019_v3.pdf | Versione dell'autore sottoposta a revisione | 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript | PUBBLICO - Tutti i diritti riservati | Visibile a tuttiVisualizza/Apri |
http://hdl.handle.net/11583/2750833
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