Modeling and simulation of noise in transistors under large-signal condition / Bonani F.; Donati Guerrieri S.; Ghione G.; Tisseur R.. - ELETTRONICO. - (2011), pp. 10-15. ((Intervento presentato al convegno 21st International Conference on Noise and Fluctuations tenutosi a Toronto, Canada nel 12-16 June.
Titolo: | Modeling and simulation of noise in transistors under large-signal condition | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 2011 | |
ISBN: | 9781457701917 | |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/11583/2425179
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