Archivio Istituzionale della RicercaModeling the effect of position-dependent random dopant fluctuations on the process variability of submicron channel MOSFETs through charge-based compact models: a Green's function approach / Masoero, Lia; Bonani, Fabrizio; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni. - ELETTRONICO. - (2010). (Intervento presentato al convegno European Workshop on CMOS Variability - VARI 2010 tenutosi a Montpellier (France) nel 25-27 May 2010).
Modeling the effect of position-dependent random dopant fluctuations on the process variability of submicron channel MOSFETs through charge-based compact models: a Green's function approach
MASOERO, Lia;BONANI, Fabrizio;CAPPELLUTI, Federica;GHIONE, GIOVANNI
2010
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