A novel, rigorous approach to the dynamic, large-signal stability analysis of semiconductor devices and circuits under electro-thermal interaction / Cappelluti, Federica; F. L., Traversa; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (2008), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno International Electron Device Meeting 2008 tenutosi a San Francisco nel DECEMBER 2008) [10.1109/IEDM.2008.4796788].

A novel, rigorous approach to the dynamic, large-signal stability analysis of semiconductor devices and circuits under electro-thermal interaction

CAPPELLUTI, Federica;BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI
2008

2008
9781424423774
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1852999
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo