Archivio Istituzionale della RicercaDefect influence on the electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes / Scaltrito, L., Celasco, E., Porro, S., Ferrero, S., Giorgis, F., Pirri, C., Perrone, D., Meotto, U., Mandracci, P., Richieri, G., Merlin, L., Cavallini, A., Castaldini, A., Rossi, M.. - (2003). (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM Lyon 5-10 October 2003).
Defect influence on the electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes
SCALTRITO, LUCIANO;CELASCO, EDVIGE;PORRO, SAMUELE;FERRERO, SERGIO;PIRRI, Candido;MANDRACCI, Pietro;
2003
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https://hdl.handle.net/11583/1849358
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