Defect influence on the electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes / Scaltrito, Luciano; Celasco, Edvige; Porro, Samuele; Ferrero, Sergio; Giorgis, F; Pirri, Candido; Perrone, D; Meotto, U; Mandracci, Pietro; Richieri, G; Merlin, L; Cavallini, A; Castaldini, A; Rossi, M.. - (2003). (Intervento presentato al convegno International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM tenutosi a Lyon nel 5-10 October 2003).

Defect influence on the electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes

SCALTRITO, LUCIANO;CELASCO, EDVIGE;PORRO, SAMUELE;FERRERO, SERGIO;PIRRI, Candido;MANDRACCI, Pietro;
2003

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1849358
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