Simulazione FEM di dispositivi a semiconduttore in regime periodico di ampio segnale nel dominio del tempo e della frequenza / Bertazzi, F; Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni. - (2007). (Intervento presentato al convegno Il Metodo degli Elementi Finiti tenutosi a Roma, Italy nel 14 Dicembre 2007).

Simulazione FEM di dispositivi a semiconduttore in regime periodico di ampio segnale nel dominio del tempo e della frequenza

BONANI, Fabrizio;DONATI GUERRIERI, Simona;GHIONE, GIOVANNI
2007

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1818332
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