Simulazione FEM di dispositivi a semiconduttore in regime periodico di ampio segnale nel dominio del tempo e della frequenza / Bertazzi, F; Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni. - (2007). ((Intervento presentato al convegno Il Metodo degli Elementi Finiti tenutosi a Roma, Italy nel 14 Dicembre 2007.

Simulazione FEM di dispositivi a semiconduttore in regime periodico di ampio segnale nel dominio del tempo e della frequenza

BONANI, Fabrizio;DONATI GUERRIERI, Simona;GHIONE, GIOVANNI
2007

File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Caricamento pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11583/1818332
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo