Ottimizzazione di diodi PiN e MPS su Silicio per commutazione ad elevata frequenza tramite simulazione fisica mixed-mode / Cappelluti, F., Bonani, F., Furno, M., Ghione, G., Carta, R., Bellemo, L., Bocchiola, C., Merlin, L.. - (2004). (XXXVI riunione annuale GE Courmayeur (AO) 24-26 Giugno).

Ottimizzazione di diodi PiN e MPS su Silicio per commutazione ad elevata frequenza tramite simulazione fisica mixed-mode

CAPPELLUTI, Federica;BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI;
2004

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1662687
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