Effects of implanted carbon-buried p-layer on the performance of multifunction self-aligned-gate (MSAG) GaAs MESFET's / FUMI F; PERONI M; LANZIERI C; DONATI GUERRIERI S; PIROLA M; BONANI F.; NALDI C.U. - (1997), pp. 187-190. ((Intervento presentato al convegno 5th Gallium Arsenide and Related III-V Compunds Applications Symposium tenutosi a Bologna, Italy nel 3-5 September.
Titolo: | Effects of implanted carbon-buried p-layer on the performance of multifunction self-aligned-gate (MSAG) GaAs MESFET's | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 1997 | |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/11583/1662517
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