Physics-based RF noise modeling of submicron MOSFETs / DONATI GUERRIERI, Simona; ALAM M., A; KRISCH K., S; Martin, S; PINTO M., R; VUONG H., H; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (1998), pp. 81-84. ((Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting tenutosi a San Francisco, USA nel 6-9 December [10.1109/IEDM.1998.746282].

Physics-based RF noise modeling of submicron MOSFETs

DONATI GUERRIERI, Simona;BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI
1998

9780780347748
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