Physics-based RF noise modeling of submicron MOSFETs / DONATI GUERRIERI, S., Alam, M.A., Krisch, K.S., Martin, S., Pinto, M.R., Vuong, H.H., Bonani, F., Ghione, G.. - (1998), pp. 81-84. (International Electron Devices Meeting San Francisco, USA 6-9 December) [10.1109/IEDM.1998.746282].
Physics-based RF noise modeling of submicron MOSFETs
DONATI GUERRIERI, Simona;BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI
1998
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https://hdl.handle.net/11583/1499331
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