Archivio Istituzionale della RicercaDie degradation effect on aging rate in accelerated cycling tests of SiC power MOSFET modules / Luo, Haoze; Baker, Nick; Iannuzzo, Francesco; Blaabjerg, Frede. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 76-77:(2017), pp. 415-419. [10.1016/j.microrel.2017.07.004]
Die degradation effect on aging rate in accelerated cycling tests of SiC power MOSFET modules
Iannuzzo, Francesco;
2017
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https://hdl.handle.net/11583/3000743