Archivio Istituzionale della RicercaAdopting the system theoretic tools introduced in part I, this paper gains a deep insight into the fading memory effects emerging in a non-volatile memristor under DC inputs. Experimental evidence for the history erase phenomenon is also provided here.
DC behaviour of a non-volatile memristor: part II / Ascoli, A; Tetzlaff, R; Chua, Lo; Strachan, Jp; Williams, Rs. - ELETTRONICO. - (2016), pp. 57-58. ( International Workshop on Cellular Nanoscale Networks and Their Applications (CNNA) Dresden (Germany) 23-25 August 2016).
DC behaviour of a non-volatile memristor: part II
Ascoli A;
2016
Abstract
Adopting the system theoretic tools introduced in part I, this paper gains a deep insight into the fading memory effects emerging in a non-volatile memristor under DC inputs. Experimental evidence for the history erase phenomenon is also provided here.
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https://hdl.handle.net/11583/2988429