Archivio Istituzionale della RicercaThis paper presents graphical tools from nonlinear system theory so as to unveil the properties of the switching kinetics of a tantalum oxide memristor. These theoretic concepts lie at the basis of the analysis of the device DC behaviour provided in part II.
DC behaviour of a non-volatile memristor: part I / Ascoli, A; Tetzlaff, R; Chua, Lo; Strachan, Jp; Williams, Rs. - ELETTRONICO. - (2016), pp. 55-56. (Intervento presentato al convegno International Workshop on Cellular Nanoscale Networks and their Applications tenutosi a Dresden (Germany) nel 23-25 August 2016).
DC behaviour of a non-volatile memristor: part I
Ascoli A;
2016
Abstract
This paper presents graphical tools from nonlinear system theory so as to unveil the properties of the switching kinetics of a tantalum oxide memristor. These theoretic concepts lie at the basis of the analysis of the device DC behaviour provided in part II.
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https://hdl.handle.net/11583/2988427