New power MOSFET model including the variation of parameters with the temperature / Leonardi, C.; Raciti, A.; Frisina, F.; Letor, R.; Musumeci, S.. - ELETTRONICO. - (1998), pp. 261-266. (Intervento presentato al convegno 1998 Second IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems. ICCDCS 98. tenutosi a Isla de Margarita, Venezuela nel 04-04 March 1998) [10.1109/ICCDCS.1998.705845].

New power MOSFET model including the variation of parameters with the temperature

S. Musumeci
1998

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2980145