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Using a 3D multiphysics model as a reference, we investigate the achievements and limitations of a simpler 2D drift-diffusion model to reproduce and optimize the electrooptical frequency response of vertical and lateral Ge-on-Si waveguide photodetectors.

Modeling the frequency response of vertical and lateral Ge-on-Si waveguide photodetectors: Is 3D simulation unavoidable? / Alasio, Matteo Giovanni Carmelo; Vallone, Marco; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Namnabat, Soha; Adams, Donald; Gothoskar, Prakash; Forghieri, Fabrizio; Masini, Gianlorenzo; Ghione, Giovanni; Goano, Michele. - ELETTRONICO. - (2022), p. JW3A.28. (Intervento presentato al convegno Conference on Lasers and Electro-Optics tenutosi a San Jose, California, United States nel 15-20 Maggio 2022) [10.1364/CLEO_AT.2022.JW3A.28].

Modeling the frequency response of vertical and lateral Ge-on-Si waveguide photodetectors: Is 3D simulation unavoidable?

Alasio, Matteo Giovanni Carmelo;Vallone, Marco;Tibaldi, Alberto;Bertazzi, Francesco;Ghione, Giovanni;Goano, Michele
2022

Abstract

Using a 3D multiphysics model as a reference, we investigate the achievements and limitations of a simpler 2D drift-diffusion model to reproduce and optimize the electrooptical frequency response of vertical and lateral Ge-on-Si waveguide photodetectors.
2022
978-1-957171-05-0
4.1 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2971771