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EnglishIn this work we investigate carrier transport in tunnel junctions for vertical-cavity surface-emitting lasers by a novel self-consistent simulation framework for semiconductor quantum devices. Based on a Poisson-drift-diffusion foundation, in this approach quantum features are described through a nonequilibrium Green’s function formalism. The simulator is validated through a comparison with experimental results.
Modeling Tunnel Junctions for VCSELs: A Self-Consistent NEGF-DD Approach / Tibaldi, Alberto; Gullino, Alberto; Montoya, Jesus Gonzalez; Alasio, Matteo; Larsson, Anders; Debernardi, Pierluigi; Goano, Michele; Vallone, Marco; Ghione, Giovanni; Bellotti, Enrico; Bertazzi, Francesco. - ELETTRONICO. - (2020), pp. 67-68. ((Intervento presentato al convegno https://ieeexplore.ieee.org/document/9217684 tenutosi a Online conference nel September 2020.
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| Titolo: | Modeling Tunnel Junctions for VCSELs: A Self-Consistent NEGF-DD Approach | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2020 | |
| Abstract: | In this work we investigate carrier transport in tunnel junctions for vertical-cavity surface-emi...tting lasers by a novel self-consistent simulation framework for semiconductor quantum devices. Based on a Poisson-drift-diffusion foundation, in this approach quantum features are described through a nonequilibrium Green’s function formalism. The simulator is validated through a comparison with experimental results. | |
| ISBN: | 978-1-7281-6086-3 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| 2020Tibaldi_NUSOD.1.pdf | 2a Post-print versione editoriale / Version of Record | Non Pubblico - Accesso privato/ristretto | Administrator Richiedi una copia | |
| 2020Tibaldi_NUSOD.1_20200414.pdf | 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript | PUBBLICO - Tutti i diritti riservati | Visibile a tuttiVisualizza/Apri |
http://hdl.handle.net/11583/2848459
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