An accurate electro-thermal model of SiC power MOSFETs for fast simulations / Davide, Lena; Buraioli, Irene; Bocca, Alberto; Demarchi, Danilo; Macii, Alberto. - STAMPA. - (2018), pp. 623-628. (Intervento presentato al convegno 2018 IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT) tenutosi a Lyon, France nel 19-22 February, 2018) [10.1109/ICIT.2018.8352250].
An accurate electro-thermal model of SiC power MOSFETs for fast simulations
BURAIOLI, IRENE;Alberto Bocca;Danilo Demarchi;Alberto Macii
2018
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
Bocca-AnAccurate.pdf
accesso riservato
Tipologia:
2a Post-print versione editoriale / Version of Record
Licenza:
Non Pubblico - Accesso privato/ristretto
Dimensione
1.39 MB
Formato
Adobe PDF
|
1.39 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/2702160
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo