An accurate electro-thermal model of SiC power MOSFETs for fast simulations / Davide, Lena; Buraioli, Irene; Bocca, Alberto; Demarchi, Danilo; Macii, Alberto. - STAMPA. - (2018), pp. 623-628. (Intervento presentato al convegno 2018 IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT) tenutosi a Lyon, France nel 19-22 February, 2018) [10.1109/ICIT.2018.8352250].
An accurate electro-thermal model of SiC power MOSFETs for fast simulations
BURAIOLI, IRENE;Alberto Bocca;Danilo Demarchi;Alberto Macii
2018
File in questo prodotto:
	
	
	
    
	
	
	
	
	
	
	
	
		
			
				
			
		
		
	
	
	
	
		
		
			| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
| Bocca-AnAccurate.pdf accesso riservato 
											Tipologia:
											2a Post-print versione editoriale / Version of Record
										 
											Licenza:
											
											
												Non Pubblico - Accesso privato/ristretto
												
												
												
											
										 
										Dimensione
										1.39 MB
									 
										Formato
										Adobe PDF
									 | 1.39 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia | 
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
			        	
	
		
		
			
			Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: 
			    https://hdl.handle.net/11583/2702160
			
		
	
	
	
			      	Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
