An accurate electro-thermal model of SiC power MOSFETs for fast simulations / Davide, Lena; Buraioli, Irene; Bocca, Alberto; Demarchi, Danilo; Macii, Alberto. - STAMPA. - (2018), pp. 623-628. (Intervento presentato al convegno 2018 IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT) tenutosi a Lyon, France nel 19-22 February, 2018) [10.1109/ICIT.2018.8352250].

An accurate electro-thermal model of SiC power MOSFETs for fast simulations

BURAIOLI, IRENE;Alberto Bocca;Danilo Demarchi;Alberto Macii
2018

2018
978-1-5090-5949-2
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