600 Mrad TID effects on a new generation high rate Pixel Readout ASIC in 65nm CMOS with low-power, low noise synchronous analog front-end using Fast ToT encoding and auto-zeroing / Ennio, M., Lino, D., Luca, P., Paterno', A., Angelo, R., Manuel Dionisio Da Rocha, R., Richard, W., Panati, S.. - (2017). (Radecs2017 CERN, Givevra 2017).
600 Mrad TID effects on a new generation high rate Pixel Readout ASIC in 65nm CMOS with low-power, low noise synchronous analog front-end using Fast ToT encoding and auto-zeroing
PATERNO', ANDREA;PANATI, SERENA
2017
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/2685916
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
