Model for carrier capture time through phonon emission in InGaN/GaN quantum wells / Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Ghione, Giovanni. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH. - ISSN 0370-1972. - STAMPA. - 252:5(2015), pp. 971-976. [10.1002/pssb.201451580]

Model for carrier capture time through phonon emission in InGaN/GaN quantum wells

VALLONE, MARCO ERNESTO;BERTAZZI, FRANCESCO;GOANO, MICHELE;GHIONE, GIOVANNI
2015

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2595165
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