Effects of dislocation density on injection and temperature sensitivity of InGaN LED emission spectra: a combined experimental and simulation approach / Goano M.; Chiaria S.; Calciati M.; Bertazzi F.; Ghione G.; Meneghini M.; Ferretti M.; Meneghesso G.; Zanoni E.; Bellotti E.; Zhu D.; Humphreys C.. - ELETTRONICO. - (2011). ((Intervento presentato al convegno 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) tenutosi a Glasgow, U.K. nel July 2011.
Titolo: | Effects of dislocation density on injection and temperature sensitivity of InGaN LED emission spectra: a combined experimental and simulation approach | |
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Data di pubblicazione: | 2011 | |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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2011Goano_ICNS.pdf | Abstract | PUBBLICO - Tutti i diritti riservati | Visibile a tuttiVisualizza/Apri |
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http://hdl.handle.net/11583/2439008
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