PORTO @ 
Publications Open Repository TOrino
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishEffects of dislocation density on injection and temperature sensitivity of InGaN LED emission spectra: a combined experimental and simulation approach / Goano M.; Chiaria S.; Calciati M.; Bertazzi F.; Ghione G.; Meneghini M.; Ferretti M.; Meneghesso G.; Zanoni E.; Bellotti E.; Zhu D.; Humphreys C.. - ELETTRONICO. - (2011). ((Intervento presentato al convegno 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) tenutosi a Glasgow, U.K. nel July 2011.
http://hdl.handle.net/11583/2439008| Titolo: | Effects of dislocation density on injection and temperature sensitivity of InGaN LED emission spectra: a combined experimental and simulation approach |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2011 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| 2011Goano_ICNS.pdf | 3. Abstract | PUBBLICO - Tutti i diritti riservati | Visibile a tuttiVisualizza/Apri |
Copyright © 2018