Archivio Istituzionale della RicercaFirst-principles simulation of GaN material and devices: an application to GaN APDs / Enrico, Bellotti; Michele, Moresco; Bertazzi, Francesco. - 7602:(2010), p. 76021B. (Intervento presentato al convegno Gallium Nitride Materials and Devices V tenutosi a San Francisco, California, USA nel Monday 25 January 2010) [10.1117/12.842088].
First-principles simulation of GaN material and devices: an application to GaN APDs
BERTAZZI, FRANCESCO
2010
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https://hdl.handle.net/11583/2366214
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