Structural properties of 3C-SiC layers grown on Si substrates by Electron Cyclotron Resonance CVD Technique / Giorgis, F., A., C., Cicero, G., Ferrero, S., Mandracci, P., Pirri, C., G., B., L., C., G., F., P., M., R., R.. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 640:(2001), pp. 570-596. (MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS ).

Structural properties of 3C-SiC layers grown on Si substrates by Electron Cyclotron Resonance CVD Technique

GIORGIS, FABRIZIO;CICERO, Giancarlo;FERRERO, SERGIO;MANDRACCI, Pietro;PIRRI, Candido;
2001

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1661271
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