Defect distribution and bonding structure in high band gap a-SiC:H films deposited in H2 dilution / R., Galloni; R., Rizzoli; C., Summonte; F., Demichelis; Giorgis, Fabrizio; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria; G., Ambrosone; C., Catalanotti; U., Coscia; G., Dellamea; V., Rigato; P., Rava; A., Madan. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 336:(1994), pp. 517-520. (Intervento presentato al convegno MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS).

Defect distribution and bonding structure in high band gap a-SiC:H films deposited in H2 dilution

GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria;
1994

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1661210
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