Defect distribution and bonding structure in high band gap a-SiC:H films deposited in H2 dilution / R., G., R., R., C., S., F., D., Giorgis, F., Pirri, C., Tresso, E.M., G., A., C., C., U., C., G., D., V., R., P., R., A., M.. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 336:(1994), pp. 517-520. (MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS ).
Defect distribution and bonding structure in high band gap a-SiC:H films deposited in H2 dilution
GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria;
1994
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https://hdl.handle.net/11583/1661210
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