Archivio Istituzionale della RicercaEffect of electrode spacing and hydrogen dilution on a-SiC:H and a-Si:H layers / J., DAEY OUWENS; R. E. I., Schropp; C. H. M., VAN DER WERF; M. B., VON DER LINDEN; C. H. M., Maree; W. F., WAN DER WEG; P., Rava; F., Demichelis; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria. - 297:(1993), pp. 61-63. (Intervento presentato al convegno MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS).
Effect of electrode spacing and hydrogen dilution on a-SiC:H and a-Si:H layers
PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
1993
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/1661205
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo