Effect of electrode spacing and hydrogen dilution on a-SiC:H and a-Si:H layers / J., D.O., R. E. I., S., C. H. M., V.D.W., M. B., V.D.L., C. H. M., M., W. F., W.D.W., P., R., F., D., Pirri, C., Tresso, E.M.. - 297:(1993), pp. 61-63. (MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS ).

Effect of electrode spacing and hydrogen dilution on a-SiC:H and a-Si:H layers

PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
1993

1993
02729172
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1661205
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo