Transfer matrix method modelling of inhomogeneous Schottky barrier diodes on silicon carbide / Furno, M; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 51:(2007), pp. 466-474. [10.1016/j.sse.2007.01.028]
Transfer matrix method modelling of inhomogeneous Schottky barrier diodes on silicon carbide
BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI
2007
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
1642256.pdf
accesso aperto
Tipologia:
2. Post-print / Author's Accepted Manuscript
Licenza:
Pubblico - Tutti i diritti riservati
Dimensione
524.87 kB
Formato
Adobe PDF
|
524.87 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/1642256
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo