A TCAD approach to the physics-based modeling of frequency conversion and noise in semiconductor devices under large-signal forced operation / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - ED-48:(2001), pp. 966-977. [10.1109/16.918245]
A TCAD approach to the physics-based modeling of frequency conversion and noise in semiconductor devices under large-signal forced operation
BONANI, Fabrizio;DONATI GUERRIERI, Simona;GHIONE, GIOVANNI;PIROLA, Marco
2001
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
TED 01.pdf
accesso aperto
Tipologia:
2. Post-print / Author's Accepted Manuscript
Licenza:
PUBBLICO - Tutti i diritti riservati
Dimensione
276 kB
Formato
Adobe PDF
|
276 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/1499328
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo