GALANTI, FRANCESCO

GALANTI, FRANCESCO  

Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia  

042478  

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Charge transport mechanisms in inkjet-printed thin-film transistors based on two-dimensional materials / Piatti, E., Arbab, A., Galanti, F., Carey, T., Anzi, L., Spurling, D., Roy, A., Zhussupbekova, A., Patel, K.A., Kim, J.M., Daghero, D., Sordan, R., Nicolosi, V., Gonnelli, R.S., Torrisi, F.. - In: NATURE ELECTRONICS. - ISSN 2520-1131. - STAMPA. - 4:12(2021), pp. 893-905. [10.1038/s41928-021-00684-9] 1-gen-2021 Erik PiattiFrancesco GalantiDario DagheroRenato S. Gonnelli + s41928-021-00684-9.pdfPiatti_NatElectron2021_postprint.pdf
Ambipolar suppression of superconductivity by ionic gating in optimally doped BaFe2(As,P)2 ultrathin films / Piatti, E., Takafumi, H., Daghero, D., Galanti, F., Gerbaldi, C., Guastella, S., Portesi, C., Ibuki, N., Ryosuke, F., Kazumasa, I., Hiroshi, I., Gonnelli, R.. - In: PHYSICAL REVIEW MATERIALS. - ISSN 2475-9953. - ELETTRONICO. - 3:(2019), p. 044801. [10.1103/PhysRevMaterials.3.044801] 1-gen-2019 PIATTI, ERIKDario DagheroGALANTI, FRANCESCOClaudio GerbaldiSalvatore GuastellaChiara PortesiRenato Gonnelli + Piatti_BaFe2As2_ionic_gating_post_print.pdfPiatti Ambipolar suppression of superconductivity by ionic gating in optimally doped BaFe2(As,P)2 ultrathin films Phys. Rev. Materials 3, 044801 (2019).pdf
Towards the insulator-to-metal transition at the surface of ion-gated nanocrystalline diamond films / Piatti, E., Galanti, F., Pippione, G., Pasquarelli, A., Gonnelli, R.. - In: THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. SPECIAL TOPICS. - ISSN 1951-6355. - ELETTRONICO. - 228:(2019), pp. 689-696. [10.1140/epjst/e2019-800188-9] 1-gen-2019 Erik PiattiFrancesco GalantiRenato Gonnelli + Piatti Towards the insulator-to-metal transition at the surface of ion-gated nanocrystalline diamond films Eur. Phys. J. Spec. Top. 228, 689 (2019).pdfPiatti_NCDiamond_MIT_post_print.pdf