Archivio Istituzionale della RicercaANGELINI, ANNAMARIA
ANGELINI, ANNAMARIA
Dipartimento di Elettronica (attivo dal 01/01/1900 al 31/12/2011)
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Dynamic electrothermal modeling of GaN HEMTs as a tool for technology assessment
2006 Angelini, A; Bonani, Fabrizio; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco
Evaluation of GaN HEMT technology development through nonlinear characterization
2006 Angelini, A.; Camarchia, V.; Cappelluti, F.; Donati Guerrieri, S.; Pirola, M.; Bonani, F.; Serino, A.; Ghione, G.
| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| Dynamic electrothermal modeling of GaN HEMTs as a tool for technology assessment / Angelini, A; Bonani, Fabrizio; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - STAMPA. - (2006), pp. 59-62. (Intervento presentato al convegno TARGET Days 2006 tenutosi a Monte Porzio Catone (Roma) nel 16-18 October). | 1-gen-2006 | ANGELINI ABONANI, FabrizioCAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco | - |
| Evaluation of GaN HEMT technology development through nonlinear characterization / Angelini, A.; Camarchia, V.; Cappelluti, F.; Donati Guerrieri, S.; Pirola, M.; Bonani, F.; Serino, A.; Ghione, G.. - STAMPA. - 2006:(2006), pp. 105-108. (Intervento presentato al convegno 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD'06 tenutosi a Naples, Italy nel 04-08 June 2006) [10.1109/ISPSD.2006.1666082]. | 1-gen-2006 | Angelini A.Camarchia V.Cappelluti F.Donati Guerrieri S.Pirola M.Bonani F.Ghione G. + | Ghione-Evaluation.pdf |