Archivio Istituzionale della RicercaMASOERO, Lia
MASOERO, Lia
Dipartimento di Elettronica (attivo dal 01/01/1900 al 31/12/2011)
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| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| Modeling the effect of position-dependent random dopant fluctuations on the process variability of submicron channel MOSFETs through charge-based compact models: a Green's function approach / Masoero, Lia; Bonani, Fabrizio; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni. - ELETTRONICO. - (2010). (Intervento presentato al convegno European Workshop on CMOS Variability - VARI 2010 tenutosi a Montpellier (France) nel 25-27 May 2010). | 1-gen-2010 | MASOERO, LiaBONANI, FabrizioCAPPELLUTI, FedericaGHIONE, GIOVANNI | paper2-1.pdf |