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Modeling elettrotermico auto-consistente di dispositivi HEMT su GaN per applicazioni di potenza
2007 Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni; Naldi, Carlo
Self-Consistent electro-thermal model for GaN HEMTs devices evaluation
2007 Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Pirola, Marco; DONATI GUERRIERI, Simona; Angelini, A; Corbellini, Simone; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
On the Substrate Thermal Optimization in SiC-Based Backside-Mounted High-Power GaN FETs
2007 Cappelluti, Federica; Furno, M; Angelini, A; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni
Physics-Based PiN Diode SPICE Model for Power-Circuit Simulation
2007 MALAGONI BUIATTI, G; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni
Self-Consistent Electrothermal Modeling of Class A, AB, and B Power GaN HEMTs Under Modulated RF Excitation
2007 Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Pirola, Marco; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni
Un metodo rigoroso per l'analisi dell'instabilità elettrotermica in dispositivi di potenza per applicazioni adalta frequenza
2008 Bonani, Fabrizio; Cappelluti, Federica; Traversa, F. L.
Assessment of GaN-based power amplifiers through self-consistent electrothermal modelling and nonlinear characterization.
2008 Quaglia, Roberto; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni
Thermal simulation and optimization of AlGaN/GaN HEMTs
2008 Bonani, Fabrizio; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco
A novel, rigorous approach to the dynamic, large-signal stability analysis of semiconductor devices and circuits under electro-thermal interaction
2008 Cappelluti, Federica; F. L., Traversa; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
When self-consistency makes a difference
2008 Bonani, Fabrizio; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco
A critical discussion of the current collapse in multifinger HBTs based on Floquet stability analysis
2008 Traversa, F. L.; Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio
Physics-based electro-thermal simulation and photoconductance measurement of the channel T-distribution in high-power GaN HEMTs
2008 Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; DI CARLO, A; Reale, A.
A rigorous assessment of electro-thermal device instabilities via Harmonic Balance modeling
2008 Cappelluti, Federica; Traversa, Fl; Bonani, Fabrizio
Assessment of surge current capabilities of SiC-based high-power diodes through physics-based mixed-mode electro-thermal simulations
2009 Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
Behavioral modeling of GaN-based power amplifiers: impact of electrothermal feedback on the model accuracy and identification
2009 Quaglia, Roberto; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Lima, E. G.; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco
RF power performance of submicron MESFET on hydrogen terminated polycrystalline diamond
2009 M. C., Rossi; P., Calvani; G., Conte; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni; W., Ciccognani; B., Pasciuto; E., Limiti; D., Dominijanni; E., Giovine
Assessment of thermal instabilities and oscillations in multifinger heterojunction bipolar transistors through a harmonic-balance-based CAD-oriented dynamic stability analysis technique
2009 Traversa, F; Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
HB-based CAD-oriented dynamic stability analysis of circuits and devices: application to the assessment of thermal instabilities in multifinger HBTs
2009 F. L. TRAVERSA F., L.; Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni
MESFETs on H-terminated Single Crystal Diamond
2010 P., Calvani; M. C., Rossi; G., Conte; S., Carta; E., Giovine; B., Pasciuto; E., Limiti; Cappelluti, Federica; V., Ralchenko; A., Bolshakov; G., Sharonov
RF Power Performance Evaluation of Surface Channel Diamond MESFET
2010 M. C., Rossi; P., Calvani; G., Conte; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni; B., Pasciuto; E., Limiti; D., Dominijanni; E., Giovine
Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
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Modeling elettrotermico auto-consistente di dispositivi HEMT su GaN per applicazioni di potenza / Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni; Naldi, Carlo. - ELETTRONICO. - (2007), pp. 1-2. (Intervento presentato al convegno XXXIX riunione annuale del Gruppo Elettronica tenutosi a Lerici, (Ge) nel 20 Giugno–22 Giugno 2007). | 1-gen-2007 | CAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaDONATI GUERRIERI, SimonaPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNINALDI, Carlo | - |
Self-Consistent electro-thermal model for GaN HEMTs devices evaluation / Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Pirola, Marco; DONATI GUERRIERI, Simona; Angelini, A; Corbellini, Simone; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - STAMPA. - WOCSDICE 2007:(2007), pp. 211-214. (Intervento presentato al convegno WOCSDICE 2007 tenutosi a Venice, Italy nel 20-23 May). | 1-gen-2007 | CAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaPIROLA, MarcoDONATI GUERRIERI, SimonaCORBELLINI, SIMONEBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + | - |
On the Substrate Thermal Optimization in SiC-Based Backside-Mounted High-Power GaN FETs / Cappelluti, Federica; Furno, M; Angelini, A; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 54:(2007), pp. 1744-1752. [10.1109/TED.2007.899380] | 1-gen-2007 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI + | 04252358.pdf |
Physics-Based PiN Diode SPICE Model for Power-Circuit Simulation / MALAGONI BUIATTI, G; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni. - In: IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS. - ISSN 0093-9994. - STAMPA. - 43:(2007), pp. 911-919. [10.1109/TIA.2007.900492] | 1-gen-2007 | CAPPELLUTI, FedericaGHIONE, GIOVANNI + | - |
Self-Consistent Electrothermal Modeling of Class A, AB, and B Power GaN HEMTs Under Modulated RF Excitation / Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Pirola, Marco; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni. - In: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES. - ISSN 0018-9480. - STAMPA. - 55:9(2007), pp. 1824-1831. [10.1109/TMTT.2007.903839] | 1-gen-2007 | CAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaPIROLA, MarcoDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNI | - |
Un metodo rigoroso per l'analisi dell'instabilità elettrotermica in dispositivi di potenza per applicazioni adalta frequenza / Bonani, Fabrizio; Cappelluti, Federica; Traversa, F. L.. - (2008), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno XL Riunione annuale del Gruppo Elettronica tenutosi a Otranto, Italy nel 18-20 JUNE). | 1-gen-2008 | BONANI, FabrizioCAPPELLUTI, Federica + | - |
Assessment of GaN-based power amplifiers through self-consistent electrothermal modelling and nonlinear characterization / Quaglia, Roberto; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - STAMPA. - (2008), pp. 60-61. (Intervento presentato al convegno Workshop on metamaterials and special materials for electromagnetic applications and TLC tenutosi a Napoli, Italy nel 18-19 December). | 1-gen-2008 | QUAGLIA, ROBERTOCAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaDONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI | - |
Thermal simulation and optimization of AlGaN/GaN HEMTs / Bonani, Fabrizio; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (2008), pp. 1-8. (Intervento presentato al convegno International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications tenutosi a WROCLAW - Poland nel 19-23 MAGGIO 2008). | 1-gen-2008 | BONANI, FabrizioCAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco | - |
A novel, rigorous approach to the dynamic, large-signal stability analysis of semiconductor devices and circuits under electro-thermal interaction / Cappelluti, Federica; F. L., Traversa; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (2008), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno International Electron Device Meeting 2008 tenutosi a San Francisco nel DECEMBER 2008) [10.1109/IEDM.2008.4796788]. | 1-gen-2008 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + | - |
When self-consistency makes a difference / Bonani, Fabrizio; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - In: IEEE MICROWAVE MAGAZINE. - ISSN 1527-3342. - 9 issue 5:(2008), pp. 81-89. [10.1109/MMM.2008.927638] | 1-gen-2008 | BONANI, FabrizioCAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco | MM 08a.pdf |
A critical discussion of the current collapse in multifinger HBTs based on Floquet stability analysis / Traversa, F. L.; Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio. - (2008), pp. 21-24. (Intervento presentato al convegno International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits tenutosi a Malaga, Spain nel 24-25 November) [10.1109/INMMIC.2008.4745704]. | 1-gen-2008 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, Fabrizio + | - |
Physics-based electro-thermal simulation and photoconductance measurement of the channel T-distribution in high-power GaN HEMTs / Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; DI CARLO, A; Reale, A.. - In: INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY. - ISSN 1553-0396. - 3:(2008), pp. 175-182. | 1-gen-2008 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + | - |
A rigorous assessment of electro-thermal device instabilities via Harmonic Balance modeling / Cappelluti, Federica; Traversa, Fl; Bonani, Fabrizio. - (2008), pp. 434-437. (Intervento presentato al convegno European Microwave Integrated Circuits Conference tenutosi a Amsterdam, The Netherlands nel 27-31 October) [10.1109/EMICC.2008.4772322]. | 1-gen-2008 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, Fabrizio + | Bonani-Arigorous.pdf |
Assessment of surge current capabilities of SiC-based high-power diodes through physics-based mixed-mode electro-thermal simulations / Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (2009). (Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Washington D.C., USA nel 9-11 December). | 1-gen-2009 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI | ISDRS 09.pdf |
Behavioral modeling of GaN-based power amplifiers: impact of electrothermal feedback on the model accuracy and identification / Quaglia, Roberto; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Lima, E. G.; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - In: MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS. - ISSN 0895-2477. - STAMPA. - 51:(2009), pp. 2789-2792. [10.1002/mop.24732] | 1-gen-2009 | QUAGLIA, ROBERTOCAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | 2279631.pdf |
RF power performance of submicron MESFET on hydrogen terminated polycrystalline diamond / M. C., Rossi; P., Calvani; G., Conte; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni; W., Ciccognani; B., Pasciuto; E., Limiti; D., Dominijanni; E., Giovine. - (2009), pp. 1-2. (Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium, 2009. ISDRS '09 tenutosi a College Park, MD, USA nel 9-11 Dec. 2009) [10.1109/ISDRS.2009.5378251]. | 1-gen-2009 | CAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaGHIONE, GIOVANNI + | - |
Assessment of thermal instabilities and oscillations in multifinger heterojunction bipolar transistors through a harmonic-balance-based CAD-oriented dynamic stability analysis technique / Traversa, F; Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - In: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES. - ISSN 0018-9480. - 57:(2009), pp. 3461-3468. [10.1109/TMTT.2009.2034229] | 1-gen-2009 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + | 09Traversa_TMTT.pdf |
HB-based CAD-oriented dynamic stability analysis of circuits and devices: application to the assessment of thermal instabilities in multifinger HBTs / F. L. TRAVERSA F., L.; Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (2009), pp. 1493-1496. (Intervento presentato al convegno International Microwave Symposium tenutosi a Boston, USA nel 7-12 June 2009). | 1-gen-2009 | CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + | - |
MESFETs on H-terminated Single Crystal Diamond / P., Calvani; M. C., Rossi; G., Conte; S., Carta; E., Giovine; B., Pasciuto; E., Limiti; Cappelluti, Federica; V., Ralchenko; A., Bolshakov; G., Sharonov. - 1203:(2010). (Intervento presentato al convegno Mater. Res. Soc. Symp., Fall 2009 tenutosi a Boston, USA nel November 30 - December 4) [10.1557/PROC-1203-J15-03]. | 1-gen-2010 | CAPPELLUTI, Federica + | - |
RF Power Performance Evaluation of Surface Channel Diamond MESFET / M. C., Rossi; P., Calvani; G., Conte; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; Ghione, Giovanni; B., Pasciuto; E., Limiti; D., Dominijanni; E., Giovine. - 1203:(2010). (Intervento presentato al convegno Mater. Res. Soc. Symp., Fall 2009 tenutosi a Boston, USA nel November 30 - December 4) [10.1557/PROC-1203-J15-04]. | 1-gen-2010 | CAMARCHIA, VITTORIOCAPPELLUTI, FedericaGHIONE, GIOVANNI + | - |
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