Resistive switching and role of interfaces in memristive devices based on amorphous NbOx by anodic oxidation / Leonetti, Giuseppe; Fretto, Matteo; Bejtka, Katarzyna; Olivetti, Elena Sonia; Pirri, Candido Fabrizio; De Leo, Natascia; Valov, Ilia; Milano, Gianluca. - In: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. - ISSN 1463-9076. - (2023). [10.1039/D3CP01160G]
Resistive switching and role of interfaces in memristive devices based on amorphous NbOx by anodic oxidation
Leonetti, Giuseppe;Fretto, Matteo;Bejtka, Katarzyna;Olivetti, Elena Sonia;Pirri, Candido Fabrizio;Valov, Ilia;Milano, Gianluca
2023
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
d3cp01160g.pdf
accesso aperto
Descrizione: PDF della versione post referaggio
Tipologia:
2a Post-print versione editoriale / Version of Record
Licenza:
Creative commons
Dimensione
2.56 MB
Formato
Adobe PDF
|
2.56 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/2978364