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The deep Al-based JTE: development and industrialization of a novel termination design for high-power semiconductor devices / Pezzarossa, Michele. - (2022 May 20), pp. 1-116.

The deep Al-based JTE: development and industrialization of a novel termination design for high-power semiconductor devices

PEZZAROSSA, MICHELE
2022

Abstract

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20-mag-2022
8.1 Doctoral thesis Polito
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2964780