PORTO @ 
Archivio Istituzionale della Ricerca
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishInvestigation and Modeling of the Electrical Bias Stress in Electrolyte‐Gated Organic Transistors / Segantini, Matteo; Ballesio, Alberto; Palmara, Gianluca; Zaccagnini, Pietro; Frascella, Francesca; Garzone, Giovanna; Marasso, Simone Luigi; Cocuzza, Matteo; Parmeggiani, Matteo. - In: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2199-160X. - ELETTRONICO. - (2022), p. 2101332. [10.1002/aelm.202101332]
| Titolo: | Investigation and Modeling of the Electrical Bias Stress in Electrolyte‐Gated Organic Transistors | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2022 | |
| Rivista: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202101332 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| Adv Elect Materials - 2022 - Segantini - Investigation and Modeling of the Electrical Bias Stress in Electrolyte‐Gated.pdf | Articolo principale | 2a Post-print versione editoriale / Version of Record |  | Visibile a tuttiVisualizza/Apri |
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11583/2964112
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2022