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EnglishThis brief aims at defining a class D of extended memristors by using a combination of fundamental algebraic circuit elements corresponding to ideal memristors and nonlinear resistors. By massaging the characteristics of the constitutive elements, such class D of extended memristors is able to approximate rectifying effects and asymmetric pinched hysteresis loops of real non-volatile switching memristor devices. Finally, it is shown that if the nonlinear resistors are described in terms of piecewise linear characteristics, then the flux-charge analysis method permits to analyze the dynamics of nonlinear circuits with extended memristors in D.
Flux-charge description of circuits with non-volatile switching memristor devices / Corinto, F.; Gilli, M.; Forti, M.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS. II, EXPRESS BRIEFS. - ISSN 1549-7747. - ELETTRONICO. - 65:5(2018), pp. 642-646. [10.1109/TCSII.2018.2825447]
| Titolo: | Flux-charge description of circuits with non-volatile switching memristor devices | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2018 | |
| Rivista: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TCSII.2018.2825447 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| Corinto_Forti_Gilli_TCAS_brief.pdf | 2a Post-print versione editoriale / Version of Record | Non Pubblico - Accesso privato/ristretto | Administrator Richiedi una copia |
http://hdl.handle.net/11583/2842379
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