Barrier height evolution in a non-uniform interface of Ti or Mo Schottky diodes based on 4H-SiC / Gharbi, R.; Shili, K.; Ben Karoui, M.; Fathallah, M.; Ferrero, S.. - In: INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS. - ISSN 0020-7217. - 4:3(2016), pp. 367-375. [10.1080/00207217.2015.1036799]
Barrier height evolution in a non-uniform interface of Ti or Mo Schottky diodes based on 4H-SiC
Ferrero S.
2016
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https://hdl.handle.net/11583/2750893
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