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EnglishSilicon nanowires fabricated by metal-assisted chemical etching can present low porosity and a rough surface depending on the doping level of the original silicon wafer. In this case, wiring of silicon nanowires may represent a challenging task. We investigated two different approaches to realize the electrical contacts in order to enable electrical measurement on a rough silicon nanowire device: we compared FIB-assisted platinum deposition for the fabrication of electrical contact with EBL technique.
| Titolo: | Electrical Contacts on Silicon Nanowires Produced by Metal-Assisted Etching: a Comparative Approach |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2016 |
| Rivista: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1689-x |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| D’Ortenzi et al. Nanoscale Research Letters (2016) 11:468.pdf | 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript |  | Visibile a tuttiVisualizza/Apri |
http://hdl.handle.net/11583/2675417
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